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    上海某某半導體有限公司激光晶體和單晶硅申請報告及節能評估

    2013-8-13 12:15:49
      大尺寸YAG激光晶體技術改造項目,位于松江區石湖蕩鎮,規劃建設總用地面積為16,135平方米,總建筑面積為3,000平方米。項目一旦完成,將可以有效的解決中國YAG晶體生長的問題,推動我國激光晶體行業發展。尤其是對于我市激光行業的發展起到重要的促進作用,目前國內YAG激光晶體主要集中在成都、福州、武漢等地,上海卻未見規;aYAG晶體的企業,主要是部分科研院校。
      根據國家和上海市有關建筑合理用能的標準,結合本項目種類建筑的性質、功能用途和使用條件,經綜合計算,年用能規模為水0.02萬立方米、電力203.56萬千瓦時,節能效果理想。各種能源折標準煤系數,電力按3.0(噸標準煤/萬千瓦時)折標系數,新水按0.86(噸標準煤/萬立方米)折標系數,項目折算年綜合能耗為610.71噸標煤。
      極大規模集成電路用單晶硅晶體生長爐研制項目,規劃建設用地總面積為1,000平方米,總建筑面積為3,000平方米。項目主要用于研制極大規模集成電路用單晶硅晶體生長爐,用于生長制造8-12英寸單晶硅片的晶體生長爐, 通過自主研發,掌握極大規模集成電路用單晶硅晶體生長爐制造的自有知識產權, 建設極大規模集成電路用單晶硅晶體生長爐制造生產線等。經綜合計算,年用能規模為水0.02萬立方米、電力39.75萬千瓦時,節能效果理想。各種能源折標準煤系數,電力按3(噸標準煤/萬千瓦時)折標系數,新水按0.86(噸標準煤/萬立方米)折標系數,項目折算年綜合能耗為119.27噸標煤。
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